PDA

View Full Version : Nguyên lý cơ bản của XPS


doremon
08-05-2008, 10:52 AM
doremon lập topic này để mọi người cùng bàn về phổ XPS, một kỹ thuật phân tích chất rắn khá quan trọng, cũng như trả lời 1 phần câu hỏi của bạn victory
Phổ XPS mà bạn hỏi đúng là phổ quang điện tử tia X (X ray photoelectron spectroscopy hay spectroscopie photoélectronique en rayon X). doremon sẽ nói sơ qua về nguyên lý cơ bản của phổ này.
Đây là một trong những kỹ thuật phân tích bề mặt nhạy nhất trong phân tích hóa học hiện nay. Bằng việc chiếu tia X có năng lượng thấp vào mẫu cần phân tích trong môi trường chân không, quá trình kích thích mẫu sẽ diễn ra. Khi đó, photon (tia X) trên sẽ được hấp thu, năng lượng tia X này đủ lớn để đẩy electron ở lớp trong cùng của nguyên tử (core level) ra khỏi nguyên tử. Electron này được gọi là quang điện tử.
Khi ra khỏi nguyên tử hay phân tử, electron này sẽ chuyển động với động năng EkE, trong đó EkE = hv – EBE (hv là năng lượng photon chiếu tới, EBE là năng lượng liên kết của electron với hạt nhân, hay là năng lượng liên kết của vân đạo nơi giữ electron bị đẩy đi). Thiết bị XPS sẽ đo giá trị mức năng lượng EkE và cường độ của nó.

http://img390.imageshack.us/img390/8069/clipimage002wx4.jpg

Vì mỗi trạng thái tồn tại của các tiểu phân đều được đặc trưng bởi năng lượng liên kết EBE trong nguyên tử của nó, nên khi đo EkE, suy ra EBE, ta có thể biết được những thông tin của tiểu phân này. Bên cạnh đó, môi trường hóa học xung quanh, các tiểu phân phối trí cũng ảnh hưởng lên mức năng lượng của vân đạo nơi giữ electron đó, gây ra sự dịch chuyển hóa học (năng lượng liên kết bị dịch chuyển).
Tuy nhiên, đường đi của các quang electron trong chất rắn là rất thấp, cho nên chỉ những điện tử ở trên những lớp trên cùng của vật liệu mới có khả năng được phát hiện. Chính vì vậy, phổ XPS là một trong những kỹ thuật phân tích bề mặt nhạy nhất hiện nay.
Tóm lại, bằng cách dựa vào EkE và cường độ của nó khi so sánh với các giá trị năng lượng tham chiếu trong XPS, ta có thể xác định loại nguyên tố, hàm lượng %, trạng thái oxy hóa, phối trí…trên bề mặt của vật liệu được phân tích.

http://img292.imageshack.us/img292/5598/clipimage003ir7.jpg

J’ai ouvert cette rubrique pour que tout le monde se discute sur le spectre XPS, technique d’analyse solide très importante, à la fois afin de répondre une part de la question de
Le spectre XPS est la spectroscopie photoélectronique en rayons X. Son principe se présenterai suivant.
C’est une des technique d’analyse de la surface les plus sensibles actuellement. En émettant le rayon X à énergie faible vers l’échantillon analytique dans le vacuum, l’excitation se produit. Alors, le photon (rayon X) est absorbé, l’énergie de ce rayon est suffisante afin pousser sortir les électrons qui se situent dans les couches ples plus internes de l’atome. Ces électron s’appellent les photoélectrons.
Après être sortis de l’atome ou de la molécule, ces électrons portent l’énergie cinétique EkE qui est égale la soustraction entre hv et EBE (hv est l’énergie du rayon incident, EkE est l’énergie de liaison entre l’électron et le noyau, ou l’énergie de liaison de l’orbital qui occupe ces électrons excités). Un dispositif dans le système XPS va préciser la valeur de cette énergie et son intensité.
Parce que chaque état d’une atome est caractérisé par son énergie de liaison EBE, on peut acquérir ses informations en déterminer EBE ou EkE. En plus, le milieu entourant, les ligands coordonnant peuvent affecter la valeur de l’énergie de l’orbital qui occupe les électrons excités.
Cependant, le trajet des électron dans le solide est très court, on ne détermine que les électrons provenant de les couches externes du matériau analytique. C’est pourquoi le sprectre XPS est une des technique d’analyse de surface les plus sensibles.
En somme, tablant sur EkE et son intensité, il est capable de préciser l’élément, sa quantité, l’état d’oxydation, l’état de coordination…sur la surface de l’échantillon.

tuananhcyberchem
08-05-2008, 01:23 PM
nhân tiện có topic này, có bạn nào có thể chỉ cho mình biết nguyên tắc tính toán ra % nguyên tử của một nguyên tố có mặt trên bề mặt của vật liệu thông qua XPS của vật liệu đó. mình xin cảm ơn!

langbiang
08-05-2008, 02:17 PM
Để xác định phần trăm nguyên tố trên bề mặt thì ta đo survey XPS, phần trăm của nguyên tố cần tính sẽ bằng diện tích đỉnh của nguyên tố đó chia cho tổng diện tích các đỉnh.

victory71986
08-05-2008, 09:20 PM
Mình cũng hỏi cùng ý với "tuananhcyberchem" là cách xác định % hàm lựong ion của nguyên tử của cùng nguyên tố trong mẫu ( như % Fe(3+) và Fe(2+) có trong mẫu), chứ không phải hỏi cách xác định % các nguyên tố khác nhau trong mẫu như "langbiang" nói.

doremon
08-06-2008, 06:00 PM
doremon nghỉ langbian đã trả lời câu hỏi của victory rồi đó, chỉ có điều là chưa rõ thôi.
Như doremon đã viết về nguyên tắc XPS, mỗi trạng thái tồn tại khác nhau trong mẫu nghiên cứu đều được đặc trưng bởi mỗi giá trị năng lượng liên kết khác nhau. Vì vậy động năng của quang electron của chúng cũng khác nhau. Cụ thể, Fe2+ sẽ có các peak đặc trưng tương ứng với năng lượng của orbital lớp trong cùng của nó và Fe3+ cũng có các peak đặc trưng riêng. Khi đó, để xác định % 2 ion này, ta tính tỷ lệ thể tích các peak của chúng so với toàn bộ peak.

Je pense que langbian a déjà répondu la question de victory, mais cette question n'était pas nette.
Comme j'ai écrit le principe du spectre XPS, chaque état matériel différent dans l'échantillon analytique possède sa valeur de l'énergie de liaison caractéristique. C'est pourquoi, son énergie cinétique est distincte. En détail, l'ion Fe2+ dispose des pics caracteristiques qui correspondent à son énergie de l'orbital le plus interne, et le cas de Fe3+ est pareil. Alors, afin de déterminer le pourcentage de chaque ion dans l'échantillon, on précise le taux du volume de leurs pics par rapport au volume total des pics.

tuananhcyberchem
08-06-2008, 11:09 PM
thầy của mình nói rằng cách tính % nguyên tử trên bề mặt vật liệu bằng XPS ko đơn giản chỉ dựa vào diện tích đỉnh của peak mà còn phải dùng thêm một công thức gì đó có liên quan đến cả Z của nguyên tố đó đã được lập trình sẵn trong máy vi tính nối với máy XPS nữa cơ, bạn nào có ý kiến gì về việc này?

ngocyen209
11-21-2008, 01:33 PM
cho mình hỏi có ai biết ở Vn ở đâu có chụp phổ XPS [/I]ko?chỉ mình với, mình đang làm luận văn, cần gấp lắm..

cuong_ma
11-28-2008, 01:55 PM
Theo tôi được biết thì XPS là một kĩ thuật rất hiện đại, ở Việt Nam hình như chưa có. Hơn nữa nếu ở mức độ một luận văn tốt nghiệp đại học (hình như bạn là SV) thì không thực sự cần thiết.

nguyencyberchem
12-01-2008, 02:58 PM
hi bạn cuong_ma
Phổ XPS 2 năm nay đã có mặt thường xuyên trong các luận văn của SV khoa Hóa Vô Cơ của trường ĐH KHTN TPHCM rồi bạn ạ, với sự giúp đỡ đo của 1 lab ở Pháp. Doremon và các bạn cùng khóa thậm chí còn được theo 1 formation về XPS nữa đó bạn
Thân

cuong_ma
12-01-2008, 03:07 PM
Đúng là việc gửi mẫu nhờ đo ở hải ngoại rất phổ biến ở VN. Nếu được thế thì tốt quá, giúp VN tiếp cận kĩ thuật hiện đại của thế giới.Chúng ta có rất nhiều người đang tu nghiệp ở nước ngoài. Ý tôi là nếu không có điều kiện thì XPS là phép đặc trưng không thực sự cần thiết với một luận văn đại học.

tom
03-25-2009, 08:42 PM
Hi Ban Moderator
Bạn đã nói có 1 lab ở pháp giúp SV khoa vô cơ Đại học KHTN chụp phổ XPS, bạn có thông tin gì về lab đó không có thể cho mình biết không? hiện mình đang làm nghiên cứu sinh và cũng đang rất muốn chụp phổ này. Nếu có thông tin gì nhờ bạn cho mình biết nhé. cám ơn bạn trước

nguyencyberchem
03-25-2009, 10:03 PM
Hi
Lab đó ở pau, có thể tìm thêm ở đây http://www.univ-pau.fr/live/recherche-valorisation/equipes_recherche
Hiện đang có 1 chú SV đang làm master ở đó, doremon đó, cũng có trong diễn đàn, bạn có thể spam mail cho doremon để hỏi thông tin
Ko thì Bordeaux cũng có, nói chung giá khá mắc, mỗi ngày phải khoảng 1000E (giá dành cho CNRS only ^_^)
Thân

doremon
05-23-2009, 11:47 PM
thầy của mình nói rằng cách tính % nguyên tử trên bề mặt vật liệu bằng XPS ko đơn giản chỉ dựa vào diện tích đỉnh của peak mà còn phải dùng thêm một công thức gì đó có liên quan đến cả Z của nguyên tố đó đã được lập trình sẵn trong máy vi tính nối với máy XPS nữa cơ, bạn nào có ý kiến gì về việc này?


Lôi topic này lên để mọi người cũng bàn luận tiếp về XPS, vì sau 1 thời gian, mình có điều kiện học nhiều về XPS, nên hy vọng sẽ đóng góp tiếp cho topic.

Mãi đến bây giờ mình nghĩ mình mới biết trả lời câu hỏi của bạn. Đúng vậy, để tính % của 1 nguyên tố trong XPS, phải xét đến 1 yếu tố, đó là Section efficace của từng nguyên tố trong XPS (tiếng Anh là cross section, còn tiếng Việt là gì thì mình ko biết dịch thế nào cho đúng, ai biết dịch dùm nhé). Section efficace hay cross section là đại lượng thể hiện xác suất của electron của nguyên tố đó bị đẩy ra ngoài chân không sau khi bị kích thích bởi photon. Ví dụ section efficace của C 1s = 1, còn O 1s = 2.5 hay Rh 3d5/2 = 8.9 (đây là các số liệu thực nghiệm)

Vậy nên để tính % của 1 nguyên tố, nguyên tắc tổng quát:
i) chọn peak có section efficace (cross section) lớn nhất
ii) % nguyên tố đó = (diện tích peak đó / section efficace)

Nếu thời gian tới, mình có thời gian thích hợp, sẽ viết kĩ hơn về XPS (hay ai đó hiểu biết nhiều hơn, thì viết 1 bài rõ ràng hơn về XPS nhé)